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杂、开发成本高、研究开发周期长等特征，并且其发展需要多个产业互相结合加速，特别需要很高的精密工业制造基础，这导致了我国半导体产业目前发展不平衡，消费能力仍远高于产能，并且差距还在日趋递增从新技术发展和新产品开发来看，仍处于霸主位置为了抢占未来市场占有率与知识产权，还在持续提出新的技术与发展规划例如多家公司基于传统MOS技术，采用先进的Fin-FET技术架构，逐步实现了从22nm工艺到5nm工艺的更替，并向着3nm制程挺进其中，三星于2019年提出了针对3nm技术节点的全栅工艺(。OPA379AIDBVRG4
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